10nm 製程 SoC 進入量產,Samsung Electronics 為 2017 做準備
首页 > 观测 > 数码科技    作者:剧毒术士马文   2016年10月17日 22:12 星期一   热度:698°   百度已收录 0条评论    
时间:2016-10-17 22:12   热度:698° 

14nm FinFET 之後,跟著就要進入 10nm FinFET 製程的領域。
GlobalFoundries 確定退出 10nm 製程戰,跟著 Intel、TSMC 以及 Samsung Electronics 都會在 2017 年進入 10nm FinFET 製程。
Samsung Electronics 在 10 月 17 日發布新聞稿,宣布開始量產 10nm FinFET 製程的 SoC,而這動作要較 Intel 與 TSMC 快。可以預測 10nm 主要產品除了自家在 2017 年旗艦的 Exynos 處理器外,另一個將會是 Qualcomm Snapdragon 830 or 835。
img003.jpg
不過,Qualcomm 並未針對此事做出任何回應。
進入 10nm FinFET 製程之後,對於晶圓廠而言,將會是一個很大的門檻。
製程越先進,也就意味著在同一大小的處理器中,可以塞入更多的電晶體以提升整體效能表現。Samsung Electroncis 在新聞稿中提到,相較於 14nm FinFET,全新的 10nm FinFET 製程將可以提升 27% 的效能表現、降低 40% 的功耗以及提升 30% 的面積效率。
目前 Samsung Electronics 第一代 10nm FinFET 製程為 10LPE,而在 2017 下半年推出 10LPP 的第二代製程。


https://benchlife.info/samsung-mass-production-10nm-soc-with-10lpp-10172016/

二维码加载中...
本文作者:剧毒术士马文      文章标题: 10nm 製程 SoC 進入量產,Samsung Electronics 為 2017 做準備
本文地址:http://mykancolle.com/?post=694
声明:若无注明,本文皆为“MoePC”原创,转载请保留文章出处。

WRITTEN BY

avatar

返回顶部    首页     管理   注册   
版权声明       pw:mykancolle.com或moepc.net (有时需加www.) 若被菊爆请留言补档
内容来源于网络,并不代表本站赞同其观点和对其真实性负责。
如涉及作品内容、版权和其它问题,请在30日内与本站联系,我们将在第一时间删除内容。
本站资源仅为个人学习测试使用,请在下载后24小时内删除,不得用于商业用途,否则后果自负,请支持正版!
illust:A-Channel/生徒会の一存 Foreign visitors, GoogleTranslate will help   sitemap