14nm / 10nm FinFET LPU,Samsung Electronics 再推新製程技術
首页 > 观测 > 数码科技    作者:剧毒术士马文   2016年11月4日 0:04 星期五   热度:849°   百度已收录 0条评论    
时间:2016-11-4 0:04   热度:849° 

Samsung Electronics 在製程部分與 TSMC 互有抗衡,但營收就…



11 月 3 日,Samsung Electronics 釋出新聞稿,宣布推出第四代 14nm FinFET 與第三代 10nm FinFET 製程技術。


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在 14nm FinFET 方面 Samsung Electronics 提供 LPE(Low-Power Early)、LPP(Low-Power Plus)、LPC(Low-Power Compact)以及最新的 14nm FinFET LPU 製程;10nm FinFET 則是從 LPE、LPP 到最新的 LPU 製程。


Samsung Electronics 14nm FinFET LPU 主要使用應用於高效能與密集型運算應用市場。


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簡單來說,LPE 推進至 LPP 是功耗與效能的改善,LPC 與 LPU 是在 LPE 的效能基準下,將成本分別再往下做出調整的產品。14nm FinFET LPU 與 10nm FinFET LPU 相關製程設計工具(PDK)預計會在 2017 年第二季度釋出了;Samsung Electronics 在 10 月份公佈 10nm FinFET 製程 SoC 進入量產。


另一方面,Samsung Electronics 同時更新 7nm EUV 製程開發進度,並展示 7nm EUV 的晶圓。


https://benchlife.info/samsung-electronics-14lpu-10lpu-process-11032016/


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本文作者:剧毒术士马文      文章标题: 14nm / 10nm FinFET LPU,Samsung Electronics 再推新製程技術
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