10nm FinFET 製程,Qualcomm Snapdragon 835 確定
首页 > 观测 > 数码科技    作者:剧毒术士马文   2016年11月18日 1:05 星期五   热度:602°   百度已收录 0条评论    
时间:2016-11-18 1:05   热度:602° 

Qualcomm Snapdragon 821 後續產品確認型號,同時確定 10nm FinFET 製程。


究竟是 Qualcomm Snapdragon 830,還是 Qualcomm Snapdragon 835,這讓市場猜測許久,但在稍早終於有了最終答案。


Qualcomm 在 11 月 17 日晚間釋出新聞稿,宣布 Qualcomm Snapdragon 835 將採用 10nm FinFET 製程,並交由 Samsung Electronics 負責。


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Samsung Electronics 是在 2016 年 10 月量產 10nm FinFET 製程,而 Qualcomm 則是該公司第一個客戶。相較於 14nm FinFET 製程,全新的 10nm FinFET 製程可以在減少 30% 的面積的基礎下,提升 27% 的效能,同時也降低 40% 的功耗。


Qualcomm Snapdragon 835 已經進入量產,至於採用相關裝置的產品預計會在 2017 上半年出貨。


目前 Qualcomm Snapdragon 835 的 CPU 與 GPU 架構仍不明確,但可以確定在 CPU 部分將延續 Kryo 核心,而唯一可以確認的是它將導入 Qualcomm Snapdragon X16 LTE Modem。

https://benchlife.info/qualcomm-snapdraogn-835-with-samsung-10nm-finfet-11172016/

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