Qualcomm Quick Charge 4:5 分鐘快充,5 小時的裝置續航力
首页 > 观测 > 数码科技    作者:剧毒术士马文   2016年11月18日 1:06 星期五   热度:661°   0条评论    
时间:2016-11-18 1:06   热度:661° 

除了 Qualcomm Snapdragon 835 外,Qualcomm 還公佈 Quick Charge 4。


10nm 製程的 Qualcomm Snapdragon 835 預期將帶來更強大的效能表現,同時也將會導入 Qualcomm Quick Charge 4 快充技術。


就新聞稿來說,Qualcomm Quick Charge 4 可以在 5 分鐘的充電時間,讓裝置的續航時間延長至 5 小時或者是更長時間。此外,與 Quick Charge 3.0 相比,使用者裝置充電的速度可以獲得 20% 提升,而轉換效率的提升更高達 30%;Quick Charge 4 更結合了 USB Type-C 連接埠與對 USB-PD(USB Power Delivery)的支援。


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Quick Charge 4 採用 Qualcomm Technologies 最新版本的最佳電壓智慧協商電源(Intelligent Negotiation for Optimum Voltage ,INOV)管理演算法。


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此外,Quick Charge 4 能更準確地測量電壓、電流與溫度,同時保護電池、系統、電源線與連接器。同時,透過額外保護層的增加,防治電池過度充電,並且在每一個充電週期中調整輸出電流。


對應到 Quick Charge 4,Qualcomm Technologies 也推出 SMB1380 與 SMB1381 兩款電源管理晶片(PMIC)。


Qualcomm Snapdragon 835 將會是第一款導入 Quick Charge 4 快充技術的 SoC。


https://benchlife.info/quick-charge-4-with-qualcomm-snapdragon-835-11172016/

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本文作者:剧毒术士马文      文章标题: Qualcomm Quick Charge 4:5 分鐘快充,5 小時的裝置續航力
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